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DBC覆銅陶瓷基板
DBC覆銅陶瓷基板
工藝簡(jiǎn)介
直接覆銅基板(Direct Bonded Copper、簡(jiǎn)稱DBC)，將高絕緣性的氧化鋁(Al?O?)、氧化鋯(ZTA)陶瓷基片的單面或雙面覆上銅金屬后，經(jīng)由1065~1085℃溫度燒結(jié)銅因高溫氧化、擴(kuò)散與陶瓷片質(zhì)產(chǎn)生共晶熔體，使銅與陶瓷基板黏合，形成陶瓷復(fù)合金屬基板，通過黃光工藝轉(zhuǎn)移圖形，以真空蝕刻方式制作線路，自動(dòng)印刷設(shè)備制作阻焊，進(jìn)行表面處理和激光成型。
性能介紹
DBC陶瓷基板具有陶瓷的高導(dǎo)熱、高電絕緣、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹等特性，又兼具無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異焊接性能，且能像PCB線路板一樣刻蝕出各種圖形。
1、絕緣性能好
使用DBC基板作為芯片的承載體，可有效的將芯片與模塊散熱底板隔離開，DBC基板中間的Al?O?陶瓷層或者AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。
2、導(dǎo)熱性能優(yōu)異
DBC基板具有良好的導(dǎo)熱性，熱導(dǎo)率為20-260W/mK，IGBT模塊在運(yùn)行過程中，在芯片表面產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量可有效的通過DBC基板傳輸?shù)侥K散熱底板上，再通過底板上的導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)于散熱器上,完成模塊的整體散熱流動(dòng)。
3、熱膨脹系數(shù)與硅接近
DBC基板膨脹系數(shù)同硅(芯片主要材質(zhì)為硅)相近(7.1ppm/K)，不會(huì)造成對(duì)芯片的應(yīng)力損傷DBC基板抗剝力>20N/mm2具有優(yōu)良的機(jī)械性能，耐腐蝕，不易發(fā)生形變，可在較寬溫度范圍內(nèi)使用。
4、良好的機(jī)械強(qiáng)度
厚銅箔和高性能陶瓷材料使DBC基板具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和可靠性。
5、載流能力強(qiáng)
由于銅導(dǎo)體電性能優(yōu)越，且有較強(qiáng)的載流能力，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率容量。
6、像PCB板一樣可以蝕刻各種圖形
